Sustratos más baratos fabricados con materiales de óxido
- 28 de July 2010
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- Jairo
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Categorías:Investigación
Investigadores de la Universidad Nacional Chiao Tung de Taiwan han hecho un descubrimiento que abre la puerta a la fabricación de componentes electrónicos más baratos en una variedad de sustratos. Describen sus hallazgos en la revista Applied Physics Letters, publicada por el American Institute of Physics.
“Los diodos rectificadores son los pilares fundamentales de la electrónica”, dice Tuo-Hung Hou, describiendo la investigación. “Los diodos fabricados con materiales de óxido en lugar de silicio tradicional son especialmente interesantes porque pueden ser fabricados a temperatura ambiente, en contraposición a los 1000 °C que generalmente se requieren para diodos de silicio. Además de materiales complejos de ingeniería, nuestro trabajo muestra un nuevo camino para mejorar considerablemente la eficiencia de la rectificación de diodos de óxido con la formación de rutas a nanoescala en óxidos.”
Hou agrega, que al controlar cuidadosamente las rutas a nanoescala, puede crear una memoria no volátil resistente, llamada “RRAM” o un diodo de rectificación en la misma estructura. RRAM simplemente consiste en una capa de óxidos de metal de transición entre dos electrodos de metal y está siendo impulsada activamente por muchas empresas como la “gran novedad” en memoria.
Los investigadores esperan que su labor continua produzca una nueva generación de circuitos electrónicos enteramente de materiales de óxido.
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