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Investigadores han descubierto cómo hacer hojas de h-BN, lo que podría llegar a ser un buen complemento para el grafeno.

El grafeno, promocionado como un posible sucesor del silicio en aplicaciones de microelectrónica, es la nueva estrella de los laboratorios de investigación que esperan sacar provecho de sus magníficas propiedades electrónicas.

Nitruro de boro hexagonal, o h-BN, es un aislante. A principios de este año, investigadores postdoctorales de Rice encontraron una manera de implantar islas de h-BN en hojas de grafeno, una forma única de ejercer un nivel de control sobre el carácter electrónico de la hoja.

Ahora el equipo, dirigido por el autor principal Li Song, ha descubierto la manera de depositar las hojas de puro h-BN, que es naturalmente blanco en forma masiva, en cualquier lugar de uno a cinco átomos de espesor sobre un sustrato de cobre. El material puede entonces ser transferido a otros sustratos.

Ellos usaron un proceso de deposición de vapor químico para crecer las hojas de h-BN en un respaldo de cobre de 5 por 5 centímetros a temperaturas de alrededor de 1.000 grados Celsius. Las hojas podrían ser despojadas del cobre y colocadas sobre una variedad de sustratos.

Song ve en la hojas de h-BN un aislante muy eficaz en la electrónica basada en grafeno, lo cual es un paso muy grande hacia la sustitución del silicio con materiales que puedan ir más allá de los límites de la Ley de Moore.

Más información Universidad de Rice

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