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Dedicación, tiempo, esfuerzo y por supuesto mucho dinero de por medio (para serles exacto, 14 millones de dólares), fueron los que permitieron alcanzar el logro de lo que hoy es el transistor mas rápido del mundo.

Este proyecto fue realizado en las instalaciones de micro y nanotecnología del campus universitario. Dirigido por Milton Feng y su equipo de ingenieros licenciados.

Estamos hablado del transistor mas veloz hasta ahora, con 845 gigahertzios. Rompiendo records con 300 gigahertzios mas rápido que el de la competencia con el “Pseudomorphic Heterojunction Bipolar Transistor” o bien PHBT ultra rápido.

Fuente: Euroresidentes