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Científicos han hecho un gran avance hacia la creación de nanocircuitos en grafeno, ampliamente considerado como el candidato más prometedor para sustituir al silicio como componente básico de los transistores. Han elaborado un proceso sencillo y rápido de un solo paso basado en nanolitografía termoquímica (TCNL) para la creación de nanocables, ajustando las propiedades electrónicas del óxido de grafeno reducido a nanoescala y con ello permitiendo que pase de ser un material aislante a un material conductor.

La técnica funciona con múltiples formas de grafeno y está lista para convertirse en un hallazgo importante para el desarrollo de la electrónica de grafeno. La investigación aparece en la edición de junio 11 de 2010 de la revista Science. Los científicos que trabajan con nanocircuitos están entusiásticos con el grafeno porque los electrones se encuentran con menos resistencia cuando viajan a lo largo del grafeno comparado con el silicio y porque los transistores de silicio de hoy son casi tan pequeños como lo permiten las leyes de la física.

Si bien la nanoelectrónica con grafeno podría ser más rápida y consumir menos energía que con silicio, nadie sabía cómo producir nanoestructuras de grafeno sobre un método reproducible o escalable. Esto fue así hasta ahora.

“Hemos demostrado que por calefacción aislante a nivel local de óxido de grafeno, tanto las escamas como las variedades epitaxiales, con una punta de microscopio de fuerza atómica, podemos escribir nanocables con dimensiones de hasta 12 nanómetros. Y podemos ajustar sus propiedades electrónicas hasta cuatro órdenes de magnitud más conductivas. No hemos visto ninguna señal de desgaste de las puntas o muestra de quebranto”. dijo Elisa Riedo, profesora adjunta en la Escuela de Física en el Georgia Institute of Technology.

Más información Georgia Institute of Technology

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